PG电子(中国)官方网站电子电路元器件符号大全电子元器件电感线圈的主要特性参数 电感量 L 电感量 L 表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除特 地的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不特地标注在线圈上，而 以特定的名称标注。 2、感抗 XL 电感线圈对沟通电流阻碍作用的大 小称感抗 XL，单位是欧姆。它与电感量 L 和沟通电频率 f 的关系为 XL=2πfL 3、品质因素 Q 品质因素 Q 是表示线圈质量的一个物理量， Q 为感抗 XL 与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的 Q 值愈高， 回路的损耗愈小。线圈的 Q 值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗， 屏蔽罩或铁芯引起的损耗PG电子，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的 Q 值通常为几十到几百。 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏 蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在 使线圈的 Q 值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 电子元器件之半导体器件 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、 半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、 四、五部分）组成。 五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极 管 其次部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极 管时：A-N 型锗材料、B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。 表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、

　　D-NPN 型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-一般管、V微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G高频小功率管（f3MHz,Pc1W）、D-低频大功率管（f3MHz,Pc1W）、A高频大功率管（f3MHz,Pc1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特 殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。第四部分：用数 字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18 表示 NPN 型硅材料高频三极管。

　　电子元器件之电阻 据我所了解的导电体对电流的阻碍作用称为电阻PG电子，用符号 R 表示，单 位为欧姆、千欧PG电子、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感 电阻） 第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如 R 表示电阻，W 表示电位器。 其次部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳 膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、 C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示， 个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-一般、2-一般、3超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不 同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等 。