PG电子(中国)官方网站2006年中国电子元器件进出口分析与2007年预测近年来，中国电子元器件产品产销及进出口额稳定增长。据统计，2006年中国电子元器件出口总额657.4亿美元，同比增长36.0%，占电子产品总出口额的18.8%；进口总额达1,802.0亿美元，同比增长26.2%，占电子产品总进口额的64.7%。进出口总额均高速增长，而进口额是出口额的2.74倍，事实证明，中国是全球电子元器件的最大消费国。

　　中国电子元器件出口额按产品类型分，出口额较大的是电子元件，为364.6亿美元，占5.5%，其次是集成电路为215.6亿美元，占32.8%，分立器件为61.4亿美元，占9.3%，电子元器件占2.4%(见图1A)。

　　中国电子元器件进口额按产品类型分，进口额较大的是集成电路，高达1071.6亿美元，占进口总额的59.5%，进口电子元件为582.5亿美元，占32.3%，进口半导体分立器件131.7亿美元，占7.3%PG电子(中国)官方网站，占0.9%(见图1B)。

　　业内专家预计，到2010年全球电子产品市场将达到19,055亿美元，其中，电子元器件市场将达到2,800亿美元，占14.7%。在国内市场上，中国IT市场一直保持快速增长；在通信类产品中，蜂窝电话、移动通信、光通信网络等都需要大量的元器件；消费电子产品虽然没有以前发展那么快，但需求依然强劲，这些都将成为中国电子元器件市场发展的动力。

　　近几年，由于电子元器件跨国公司生产厂还在陆续移往，中国政府将继续对国内电子元器件产业实行鼓励和扶持政策，预计2007年中国电子元器件产品出口总额将继续高速增长，可达855亿美元，增幅将在30.0%以上；2007年中国电子元器件进口将以23.0%的速度继续增长，达到2,200亿美元(见图3)。

　　降压转换器已存在了一个世纪，是当今电子电路中不可或缺的一部分。本文将讲述一个原始分立式器件如何演变成可以处理数百瓦功率的微型高集成器件。降压转换器是将输入电压转换为较低的输出电压，基本原理如图 1所示。最初，开关 SW1 关断，电流流入线。由于线圈是一个微分元件，电流稳定地增加直到开关 SW1 导通SW2 关断，导致电流发生变化。电容C1是积分元件，因此产生的输出电压是电流和开关 SW1 和 SW2 的导通时间的函数。最初 S1 和 S2是真实的机械开关但很快就被硅取代—S1 是晶体管而S2 是二极管。图 1：降压转换器基本要素（图片来源：Recom）电路随技术进步而变化多年以来，人们尽可能地将更多的器件件集成

　　电路到完全集成的模块 /

　　有投资者在投资者互动平台提问：董秘你好！卓胜微有开拓新的业务吗？11月15日，卓胜微（300782.SZ）在投资者互动平台表示，卓胜微持续完善并推出射频前端新产品，产品类型实现从分立器件向射频模组的跨越，将持续推动模组产品市场化进程，进一步扩大市场份额。同时，其也透露，卓胜微已推出适用于5G NR频段的射频分立器件和模组产品。据了解，卓胜微成立之初的主业是数字电视收发芯片，后来转型做手机的射频芯片。如今已深耕射频前端领域十数年，是国内少数对标国际领先企业的射频器件提供商之一，已全面布局5G射频前端产品。卓胜微2019年上市之时，正值5G落地元年，5G成为支撑卓胜微股价强势上涨的原因之一。2019年6月，卓胜微登陆创业板，最初

　　近期有很多用户在网上咨询I-V特性测试， I-V特性测试是很多研发型企业和高校研究的对象，分立器件I-V特性测试可以帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数，并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。I-V特性测试难点：种类多微电子器件种类繁多，引脚数量和待测参数各不相同，此外，新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求，要求测试设备具备更高的低电流测试能力，且能够支持各种功率范围的器件。尺寸小随着器件几何尺寸的减小，半导体器件特性测试对测试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺寸只有微米量级，这些对低噪声源表，探针台和显微镜性能都提出了更高的要求。I-V特性测试方案：针对I-V 特性测试难点PG电子(中国)官方网站，安泰测试建议可采用

　　器件I-V特性测试 /

　　9月13日，斯达半导在与投资者互动时表示，公司使用自主IGBT芯片的模块和分立器件已在国内主流光伏逆变器厂家大批量装机应用，预计接下来公司市场份额会持续增加。公开资料显示，斯达半导成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业，总部位于浙江嘉兴，占地106亩，在上海和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲设有研发中心，是目前国内IGBT领域的领军企业。斯达半导主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等，成功研发出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块，实现了进口替代。其中IGBT模块产品超过600种，电压等级涵盖

　　元件数量，降低加工成本。RCV-AT e3系列器件阻值范围从100 k到100 M，公差分别为 1 %和 5 %，温度系数为 100 ppm/K和 200 ppm/K。电阻额定功率为1.0 W，电阻电压系数低至25 ppm/V，工作温度为-55 C至+155 C。器件符合 RoHS标准，无卤素，适合在自动贴片机上采用符合IEC 61760-1的波峰焊、回流焊或气相焊工艺加工。器件规格表：RCV-AT e3电阻现可提供样品并已实现量产，供货周期10周。VISHAY简介Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要

　　英飞凌推出全新650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率近日，英飞凌科技股份有限公司 推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括：电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器PG电子(中国)官方网站、不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS)。由于续流 SiC 肖特基二极管与 IGBT 在共同封装中，在 dv/dt

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