PG电子【专利】华虹宏力“半导体器件的制备方法”专利获授权；京东方“设备入侵检测方法、系统及电子设备”专利获授权；TCL“薄膜的制备方法和发光二极管”专利获授权集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，授权公告号为CN113628958B，授权公告日为2024年4月23日，申请日为2021年7月29日。

　　本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：通过静电吸盘吸附晶圆，晶圆用于制备半导体器件；对晶圆进行预设的制备工序，该制备工序包括第一阶段和第二阶段，第一阶段中的功率为第一功率，第二阶段中的功率为第二功率，第一功率大于第二功率；通过静电吸盘释放晶圆；其中，在第一阶段中施加于静电吸盘的电压为第一电压，在第二阶段中施加于静电吸盘的电压为第二电压，第一电压的绝对值小于第二电压的绝对值。本申请通过在半导体器件的制造过程中，在预设的制备工艺的不同功率阶段在静电吸盘上施加不同的电压吸附晶圆，能够保证晶圆在工艺过程中具有合适的吸附力，降低了晶圆“跳片”几率PG电子(中国)官方网站，提高了产品的良率。

　　集微网消息，天眼查显示，京东方科技集团股份有限公司近日取得一项名为“设备入侵检测方法、系统及电子设备”的专利，授权公告号为CN111367762B，授权公告日为2024年4月23日，申请日为2020年2月28日。

　　本申请提出一种设备入侵检测方法、系统及电子设备，属于计算机应用技术领域。其中，该方法包括：多个数据收集组件根据预设的数据收集规则，收集目标设备的监控数据，其中，多个数据收集组件分别位于目标设备关联的各边缘设备内；多个数据收集组件分别将收集的监控数据发送给分布式搜索引擎；分布式搜索引擎按照预设的索引模版，存储监控数据；可视化平台从分布式搜索引擎中读取存储的监控数据，并进行展示。由此，通过这种设备入侵检测方法，减少了入侵检测过程中的资源占用，节省了入侵检测的硬件成本，扩展了入侵检测的适用范围。

　　集微网消息，天眼查显示，TCL科技集团股份有限公司近日取得一项名为“薄膜的制备方法和发光二极管”的专利，授权公告号为CN114203941B，授权公告日为2024年4月23日，申请日为2020年9月17日PG电子(中国)官方网站。

　　本申请涉及显示技术领域，提供了一种薄膜的制备方法和发光二极管。本申请提供的薄膜的制备方法包括：提供分散液、基质和第一惰性气体气氛，分散液包括p型半导体材料，第一惰性气体气氛掺杂有芳香族化合物，芳香族化合物能分散或溶解p型半导体材料；在第一惰性气体气氛下，将分散液在基质上进行成膜处理，形成薄膜。通过上述方法制得的薄膜表面平整致密，当应用于发光二极管的空穴功能层时，有利于改善空穴功能层的薄膜形貌，降低空穴功能层与发光层的界面电阻，从而提高器件的空穴传输效率，有效平衡器件的空穴传输效率和电子传输效率，进而提高器件的光电性能和工作寿命。

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